#科技之巅#由中科院光电技术研究所研制的国内首台超分辨率光刻机日前通过验收，并投入生产。

　　一方面，突破了荷兰阿斯曼的技术，另辟蹊径，制造了新型光刻机。超分辨率光刻机不同于阿斯曼的光刻机的曝光方式，而是采用表面等离子超衍射光刻，通过波长较短的等离子体，在涂抹光刻胶的晶圆上进行光刻，是一种更先进的技术路线，与美国的电子束光刻机是同一个方向，美国的这种光刻机已经突破了0.7nm芯片的制造难题。我国沿着这条技术路径继续完善，不久的将来一定能达到或超过美国的技术水平。同时也为我国下一代的光子芯片、量子芯片打下坚实的设备基础。

　　另一方面，这种光刻机能满足我国当前对芯片的需求。这种光刻机单次曝光即可达到22nm，多次曝光可以制造出10nm芯片。这样，我们再通过叠加技术以及芯片先进封测技术就可以制造出我们需要的任何高端芯片，满足先进工艺的需求。

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