本周，ASML在最新的声明中指出，这些新的出口管制措施侧重于先进的芯片制造技术，包括最先进的沉积设备和浸润式光刻系统。

　　ASML强调，新的出口管制措施并不针对所有浸润式光刻系统，而只涉及所谓“最先进”的浸润式光刻系统。截至目前企业尚未收到有关“最先进”的确切定义的信息，公司将其解读为在资本市场日会议上定义的“关键的浸润式光刻系统”，即TWINSCANNXT：2000i及后续推出的浸润式光刻系统。

　　所谓浸没式光刻机，属于193nm（光源）光刻机（分为干式和浸没式），可以被用于16nm至7nm先进制程芯片的制造，但是目前也有被业界广泛应用在45nm及以下的成熟制程当中。

　　ASML官网上关于这一台TWINSCAN NXT:1980Di的介绍，其中在分辨率方面，写到是大于等于38nm（可以支持到7nm左右），而这是指一次曝光的分辨率，事实上光刻机是可以进行多次曝光的。

　　理论上NXT:1980Di依然可以达到7nm，只是步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失，晶圆厂用这一台光刻机，大多是生产14nm及以上工艺的芯片，很少去生产14nm以下的工艺，因为良率低，成本高，没什么竞争力。

　　ASML指出，先进程度相对较低的浸润式光刻系统已能很好满足成熟制程为主的客户的需求，并称该公司A长期展望的基础是全球长期需求和技术趋势，而不是对具体地域的预期。自2019年以来，ASML的EUV光刻系统已经受到限制。

　　ASML预计2023年在中国的销售额将保持在22亿欧元左右（约合人民币超162亿元），其正在加快拓展在中国的业务和销售。