1977年5月，全国光刻机座谈会在江苏吴县召开，来自全国42个光刻机研制单位的67人参加了这次座谈会。可能会有人奇怪，那个年代我们就已经开始研制光刻机了吗？其实我国电子计算机和半导体的研究工作从建国时就开始了，论水平，我们一直都在第一梯队没有掉队， 为什么现在反而被人卡脖子了？

　　新中国成立后，经过三年多的经济恢复，我国建立了初步的工业化基础，并在1956年提出了《十年科学远景发展规划》。《规划》中指出，尽快掌握半导体技术是重中之重。因为只有突破了半导体技术，才能造出计算机，造出计算机才能完成“两弹一星”中的大量计算任务。

　　功夫不负有心人，在1956年的11月，我国就研制出了第一只晶体三极管，这标志着我国和发达国家一样，正式进入了半导体时代。1958年，我国又研制出第一个锗晶体管，只比发达国家晚了不到10年。

　　到了1962年，我国第一代硅平面晶体管就诞生了，这是一件非常了不起的事情。因为制作平面晶体管，需要用到光刻技术。说明在60年代初期，我国已经初步掌握了光刻技术。所以平面晶体管的诞生，对我国半导体的发展，是一个里程碑。

　　1965年，中科院微电子研究所和上海电子仪器厂合作，造出了我国第一台光刻机，65型接触式光刻机。这台光刻机，距离世界上诞生的第一台光刻机，美国GCA公司的光刻机只隔了4年。而这个时候，什么阿斯麦尔，什么台积电，连影子都没有。

　　但遗憾的是，此时我国虽然造出了光刻机，但由于芯片制造产业没有跟上，使得光刻机因缺乏大规模的应用而无法迭代。到七十年代初，美国又研制出接近式光刻机，而我国一直无法突破。1977年的光刻机座谈会一个主要的议题，就是要以国际先进水平为目标，组织全国技术力量进行攻关，并加强技术情报工作，早日让国产光刻机达到世界先进水平。

　　这次座谈会的第二年，美国研制出了分布式光刻机，这已经是现代光刻机的雏形。而我国因为底子薄，此刻还在艰难攻关，直到1985年，才由中电科45所研制出分布式光刻机。技术水平和美国的基本一致，时间上则晚了7年。

　　而此时阿斯麦尔才刚刚成立一年，台积电还要两年后才成立。初成立的阿斯麦尔此时举步维艰，市场占有率不到5%。如果这个时候我们能发挥体制优势，一直坚持下来，那到今天我们也不会是现在这个局面了。

　　整个八十年代，由于国际形势的变化，我们和西方国家的关系大为改善，原来许多拿着钱都买不到的东西突然能买到了，而光刻机的研究过程又是如此的复杂。于是造不如买、买不如租的观念很快就占据了上风。

　　在这种思想的冲击下，一大批尖端项目被迫下马。其中不乏已经取得阶段性成果，甚至即将投产的项目，如运10飞机。此外，空军还下马了包括远程轰炸机、武装直升机在内的31个项目。海军下马了大型导弹驱逐舰和航母等11个项目。全军下马的国防科研项目多达90个，不少是有实质性进展的，实在令人扼腕叹息。

　　都说爹有娘有，不如自己有。我国的光刻机技术，从最初的只落后4年，到今天至少落后国际先进水平20年，这里面我们自己有很大的责任。造不如买的思想，除了养活了一批买办，实在对国家百害而无一利。